Mos ICs And Technology для ПК

Приложение представляет собой полный бесплатный справочник по микросхемам и технологиям Mos, который охватывает важные темы, заметки и материалы по курсу.

Приложение предназначено для быстрого обучения, пересмотров, справок во время экзаменов и собеседований.

Это приложение охватывает большинство связанных тем и подробное объяснение всех основных тем.

Он подробно охватывает 114 тем МОП-ИС и технологий. Эти 114 тем разделены на 8 блоков.
Некоторые из тем, затронутых в этом приложении:

1. Закон Мура.
2. Сравнение доступных технологий
3. Базовые МОП-транзисторы
4. Режим расширения Действие транзистора:
5. Изготовление NMOS:
6. Изготовление КМОП - ПРОЦЕСС P-WELL
7. ПРОЦЕСС изготовления КМОП-N-WELL:
8. Изготовление CMOS-Twin-tub процесс
9. Технология Bi-CMOS: - (Биполярная CMOS):
10. Производство электронно-лучевых масок
11. Введение в МОП-транзистор
12. Связь между Vgs и Id для фиксированного Vd
13. Уравнения МОП (Основные уравнения постоянного тока):
14. Эффекты второго порядка
15. ХАРАКТЕРИСТИКИ КМОП-ИНВЕТЕРА
16. Характеристики инвертора постоянного тока
17. Графический вывод характеристик постоянного тока инвертора
18. Запас шума
19. МОП-инверторы со статической нагрузкой
20. Проходные ворота
21. Инвертор с тремя состояниями
22. Стик-диаграммы-Кодировки для процесса NMOS
23. Кодировки для процесса CMOS
24. Кодирование для BJT и MOSFET
25. Стиль дизайна NMOS и CMOS
26. Правила проектирования — МОП-ИС и технологии
27. Через
28. Правила проектирования на основе CMOS lambda
29. Процесс Orbit 2um CMOS
30. Оценка сопротивления.
31. Поверхностное сопротивление mos-транзисторов.
32. Оценка емкости
33. Задержка
34. Задержки инвертора
35. Формальная оценка задержки
36. Управление большой емкостной нагрузкой
37. Оптимальное значение f
38. Супербуфер
39. Драйверы БИКМОС
40. Задержка распространения
41. Другие источники емкости
42. Выбор слоев
43. Масштабирование mos устройств
44. Обзор базовой физической конструкции
45. Обзор базовой физической конструкции
46. ​​Схема и схема основных вентилей-Inverter Gate
47. Схема и расположение основных вентилей И-НЕ и НЕ-ИЛИ.
48. Передаточные ворота
49. Стандартная конструкция ячейки CMOS
50. Оптимизация макета для производительности
51. Общие рекомендации по компоновке
52. Логика БИКМОС
53. Псевдономическая логика
54. Другие вариации псевдоnmos-логики с несколькими стоками и групповой логики.
55. Другие варианты псевдоnmos-динамической логики cmos
56. Другие варианты псевдо-nmos-CLOCKED CMOS LOGIC (C2MOS)
57. Логика домино CMOS
58. Логика каскадного переключения напряжения
59. Проходная транзисторная логика
60. Структуры логических схем по технологии КМОП
61. Масштабирование МОП-схем
62. Масштабирование технологий
63. Международная технологическая дорожная карта для полупроводников (ITRS)
64. Модели масштабирования и коэффициенты масштабирования для параметров устройства.
65. Последствия масштабирования
66. Проблемы межсоединения
67. Достижимый радиус
68. Динамическая и статическая мощность
69. Производительность и физические пределы
70. Ограничения масштабирования
71. Легирование подложки
72. Ширина истощения
73. Пределы миниатюризации
74. Пределы межсоединений и контактного сопротивления
75. Пределы из-за подпороговых токов
76. Пределы из-за подпороговых токов
77. Система
78. Схема проектирования СБИС
79. 3 Структурированный подход к дизайну
80. Регулярность
81. МОП-транзистор как переключатель
82. Параллельное и последовательное соединение выключателей
83. КМОП-ИНВЕРТОР
84. Дизайн ворот И-НЕ
85. Дизайн ворот NOR
86. Свойства КМОП
87. Сложные ворота
88. Комплекс ворот АОИ

Не все темы перечислены из-за ограничений по количеству символов.

Каждая тема снабжена диаграммами, уравнениями и другими формами графического представления для лучшего изучения и быстрого понимания.

Функции :
* Главы полные темы
* Богатый макет пользовательского интерфейса
* Комфортный режим чтения
* Важные темы экзамена
* Очень простой пользовательский интерфейс
* Охватить большинство тем
* Один щелчок, чтобы получить связанную всю книгу

Это приложение будет полезно для быстрого ознакомления. С помощью этого приложения пересмотр всех концепций может быть завершен в течение нескольких часов.

Вместо того, чтобы давать нам более низкую оценку, пожалуйста, напишите нам свои вопросы, проблемы и дайте нам ценную оценку и предложение, чтобы мы могли рассмотреть это для будущих обновлений. Мы будем рады решить их для вас.